真空涂層技術(shù)起步時(shí)間不長(zhǎng)，國(guó)際上在上世紀(jì)六十年代才出現(xiàn)將CVD(化學(xué)氣相沉積)技術(shù)應(yīng)用于硬質(zhì)合金刀具上。到了上世紀(jì)七十年代末，開(kāi)始出現(xiàn) PVD(物理氣相沉積) 技術(shù)，為真空涂層開(kāi)創(chuàng)了新天地，之后在短短的二、三十年間PVD 涂層技術(shù)得到迅猛發(fā)展。真空涂層技術(shù)發(fā)展到了今天還出現(xiàn)了PCVD(物理化學(xué)氣相沉積)、MT-CVD(中溫化學(xué)氣相沉積)等新技術(shù)，各種涂層設(shè)備、各種涂層工藝層出不窮。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)工藝氣體如氪氣、氬氣、氫氣等氣體的需求不斷增大。

　　現(xiàn)代涂層設(shè)備(均勻加熱技術(shù)、溫度測(cè)量技術(shù)、非平衡磁控濺射技術(shù)、輔助陽(yáng)極技術(shù)、中頻電源、脈沖技術(shù)) 現(xiàn)代涂層設(shè)備主要由真空室、真空獲得部分、真空測(cè)量部分、電源供給部分、工藝氣體輸入系統(tǒng)、機(jī)械傳動(dòng)部分、加熱及測(cè)溫部件、離子蒸發(fā)或?yàn)R射源、水冷系統(tǒng)等部分組成。

　　工藝氣體輸入系統(tǒng)是真空涂層技術(shù)中非常重要的一環(huán)，主要會(huì)用的工藝氣體，如氬氣(Ar)、氪氣(Kr)、氮?dú)?N2)、乙炔(C2H2)、甲烷(CH4)、氫氣(H2)、氧氣(O2)等，一般均由氣瓶供應(yīng)，經(jīng)氣體減壓閥、氣體截止閥、管路、氣體流量計(jì)、電磁閥、壓電閥，然后通入真空室。這種氣體輸入系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)是，管路簡(jiǎn)捷、明快，維修或更換氣瓶容易。各涂層機(jī)之間互不影響。也有多臺(tái)涂層機(jī)共用一組氣瓶的情況，這種情況在一些規(guī)模較大的涂層車間可能有機(jī)會(huì)看到。它的好處是，減少氣瓶占用量，統(tǒng)一規(guī)劃、統(tǒng)一布局。缺點(diǎn)是，由于接頭增多，使漏氣機(jī)會(huì)增加。而且，各涂層機(jī)之間會(huì)互相干擾，一臺(tái)涂層機(jī)的管路漏氣，有可能會(huì)影響到其他涂層機(jī)的產(chǎn)品質(zhì)量。此外，更換氣瓶時(shí)，必須保證所有主機(jī)都處于非用氣狀態(tài)。